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U_{quad}=U+V\cdot\mbox{cos}\omega t 공식 6-5: 4중극자 편향 전압
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그림 6.5: 4중극자 질량 분석기의 작동 원리
동작의 방정식을 풀기 위하여 4중극자의 매개변수(직류 전압 U, 교류 진폭 V, 필드 반경 r0, 각 주파수 ω=2πf) )와 이온의 매개변수(전하 Q=z⋅e, 질량
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a=\frac{8\cdot Q\cdot U}{m\cdot r_0^2\cdot\omega^2} 공식 6-6: 안정성 매개변수 a
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q=\frac{4\cdot Q\cdot V}{m\cdot r_0^2\cdot\omega^2} 공식 6-7: 안정성 매개변수 q
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그림 6.6: 4중극자 필터의 안정성 다이어그램
비 mu/e 를 원자 질량 단위 mu = 1.6605 · 10-27 kg 과 전하량 e = 1.6022 · 10-19 A · s (mu/e =1.0365 · 10-8 kg A-1 s-1)사이 에 도입하여 이를 해당 이온의 무차원 질량 수 M으로 곱하면 안정성 삼각형이 정점에 달했을 때 전압 Up 과 Vp 에 대한 다 음 조건이 얻어집니다(상수 ku = 1.2122 · 10-8 kg A-1 s-1 및 kv = 7.2226 · 10-8 kg A-1 s-1 일 경우).
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U_{p}=k_{u}\cdot M\cdot r_0^2\cdot f^2 공식 6-8: 안정성 조건 U
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V_{p}=k_{v}\cdot M\cdot r_0^2\cdot f^2 공식 6-9: 안정성 조건 V
직류 전압 차단으로 U = 0, 일 경우, q < 0.905 이면 이온의 모 든 궤적은 안정됩니다. 공식 6-3에 따르면 다음 경우에 이온은 모두 질량이 됩니다.
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M>\frac{k_{H}\cdot V}{r_0^2\cdot f^2} 공식 6-10: 하이 패스 조건
이온 주입 조건은 필터를 통한 이온의 전달에 중요합니다. 이 온은 봉 시스템의 중앙과 가능한 한 가까운 영역에서 4중극 자로 들어가야 하고 이상적으로는 봉의 축과 평행하도록 움 직여야 합니다.
필드 직경(봉 사이의 거리)이 클수록 4중극자(봉 길이)는 더 길어지고, 이런 조건을 수행하기가 더 쉬워집니다. 또한 기하 학적 정확성(생산 허용치)은 봉 치수가 커질수록 도달하기가 더 쉽습니다.
6.1.4.1에 설명된 파이퍼 베큠 이온 소스는 높은 투명성으로 따라서 높은 감도로 바뀝니다.
실제 작동 시, 비 U/V 는 실제 솔루션 M/ΔM 이 일정한 상태 를 유지하지는 않지만 라인 폭
ΔM 신 일정한 상태를 유지 하는 방식으로 질량 수의 기능으로 활성화됩니다. 이는 해상 도가 질량 수에 비례하여 증가함을 의미합니다. 공식 6-9(V 는 M에 비례)에 따라 4중극자(섹터 필드 질량 분석기와 반대 로)는 선형 질량 척도를 산출합니다.
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N_{HF}\approx\frac{C}{Q}\cdot M^2\cdot f^5\cdot r_0^4 공식 6-11: RF 전력
요구되는 질량 범위와 원하는 해상도는 필터의 치수와 선택 된 작동 주파수에 의해 좌우됩니다. 봉 직경이 6, 8 및 16mm 이고 이와 대략 일치하는 전자를 가진 장치들은 요구조건을 최대한 만족시키기 위하여 사용 가능합니다.
다음은 해상도와 기계적 정밀성 사이의 관계에 대해 간단한 여담입니다. 안정성 다이어그램이 정점에 달했을 때 즉 해상 도가 높을 때 작동하는 4중극자 매스 필터에 대하여 생각해 봅시다. 다음 방정식은 공식 6-8
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U= 1.2122 · 10-8
\frac{\mbox{kg}}{\mbox{A}\cdot\mbox{s}}\cdot M\cdot r_0^2\cdot f^2
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V= 7.2226 · 10-8
\frac{\mbox{kg}}{\mbox{A}\cdot\mbox{s}}\cdot M\cdot r_0^2\cdot f^2
그 결과는 다음과 같습니다.
이 때 ck 는 상수입니다. 미분, M 에 의한 나눗셈, 값의 결정에 따르면, r0 에 의한 필터 분산은 다음과 같습니다.
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\frac{dM}{M}=\frac{2\cdot\delta r_0}{r_0} 공식 6-12: 분산
이 단순화된 오류 계산이 전달에 기여할 수 있는 모든 효과를 결코 고려하지 않는다 할지라도 다음과 같은 여러 가지 기본 적인 관계는 보여줍니다.
- 필드 반경은 선택된 질량 범위에 따라 전체 필터 길이에 대하여 1% 더 큰 상태로 유지되어야 합니다. 필드 반경의 변동은 전송 손실을 유발합니다.
- 봉 시스템의 치수가 더 크게 선택될수록 절대적 기계적 허 용치의 영향은 더 작아집니다.
- 인접한 질량이 차별화되는 질량 범위가 클수록 매스 필터 의 상대적 정확성과 관련된 요구조건은 더 엄격해집니다.
요약
4중극자 매스 필터는 양이온과 음이온에 대한 동적 매스 필 터입니다. 질량 척도는 RF 전압의 적용된 진폭에 선형입니 다. 질량 해상도는 직류 전압 U와 고주파수 전압 진폭 V 사이 의 비에 의하여 편리하게 전기적으로 설정될 수 있습니다. 소 형 치수와 가벼운 중량으로 인하여 4중극자 질량 분석기는 순수 잔류 기체 분석기로써 그리고 더 높은 품질로 설계된 기 체 분석용 센서로써 모두 적합합니다./p>6.3.2 이온 소스
매스 필터에서 분석되기 전에 기체는 우선 전자 충격에 의햐 여 이온 소스에서 이온화됩니다(그림 6.6). 전자는 전기적으 로 가열된 음극(필라멘트)에서 방출됩니다. 전압은 양극과 음 극 사이에서 적용되어 전자를 가속합니다. 양극과 음극 사이 의 형성 공간에 존재하는 중성 기체 분자들은 전자들 사이의 충돌에 의하여 이온화도고, 싱글 및 다중 양이온을 형성합니 다. 충돌하는 전자들의 에너지는 형성되는 이온의 수와 유형 에 모두 중대한 영향을 미칩니다.-
그림 6.6: 축 방향 이온 소스를 통과하는 섹션
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그림 6.7: 전자 에너지의 기능으로써의 이온화
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I_{K+}=i_{\bar{}}\cdot I_{e}\cdot s\cdot p_{K} 공식 6-13: 이온 전류
- i¯ 전자 전류(방출 전류), in A
- Ie 전자의 평균 경로 길이, cm
- s K의 차동 이온화 효과 횡단면 1/(cm · hPa)
- pK 기체 구성 성분 K의 분압, hPa
복잡한 분자를 이온화할 때에는 많은 유형의 이온이 형성됩 니다. 싱글 및 다중 전하 분자 이온(ABC+,ABC++)이외에 다 음과 같은 조각 이온도 발생합니다.
- ABC+ 2e-
- ABC++ + 3e-
- AB+ + C + 2e-
- BC+ + A + 2e-
- A+ + BC + 2e-
- C+ + AB + 2e-
- B+ + A + C + 2e-
이런 유형 이외에도 AC+ 와 같은 재조합 이온들이 형성되는 것도 가능합니다. 개별 유형 이온들의 발생 및 상대적 빈도는 일정한 유형의 분자의 특성이자 분자 확인 시 중요한 역할을 하며 따라서 질적 기체 분석 시 도움이 됩니다. 그림 6.8은 70eV의 전자 에너지에서 기록된 단일 분자 CO2 의 조각 이온 분배(균열 패턴 또는 조각 패턴)을 보여줍니다.
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그림 6.8: CO2 의 조각 이온 분배
이온 소스와 최적의 필라멘트 재료의 선택은 측정 업무에서 부과한 요구조건에 기초합니다. 어플리케이션은 종종 이온 소스에 모순되는 요구조건을 부과합니다. 최적의 결과에 도 달하기 위하여 이온 소스는 현재 업무와 일치해야 합니다. 그 결과 레늄(Re), 텅스텐 또는 산화이트륨화 이리듐(Y2O3/Ir) 으로 만들어진 음극이 거의 모두 장착될 수 있는 이온 소스의 다른 유형의 개발로 이어졌습니다. 텅스텐(W) 음극은 UHV 범위에서 또는 레늄(Re)의 증기압이 방해 효과를 낼 수 있는 곳에서 선호됩니다. 그러나 텅스텐/탄소/산소 사이클로 인한, 즉 W2C의 형성으로 인한 텅스텐 음극의 취성을 고려해야 합 니다. 산화이트륨화 이리듐은 과거에 사용되었던 순수 금속 음극 대신 현재 점점 더 많이 사용되고 있습니다. 이 음극이
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재료온도적용 가능 기체비고Y2 O3 / lr1,300 °C불활성 기체, 기체/ O2, NOx, SOxO2 의 고농도에 둔감한 할로겐 사용 시 짧은 사용 수명은 O2 또는 H2O 배경에서 약간의 CO / CO2 를 생성합니다.W1,800 °C불활성 기체, H2, 할로겐, 프레온O2 어플리케이션 사용 시 짧은 사용 수명은 O2 또는 H2O 배경에서 약간의 CO / CO2 를 생성하고, C는 취성을 유발합니다.Re1,800 °C불활성 기체, 탄화수소, H2, 할로겐,, 프레온탄화수소와 함께 사용 시 재료의 증발로 약 3개월 의 사용 수명
표 6.1: 필라멘트 재료와 사용
다양한 이온 소스가 어플리케이션 속성 및 분야를 기초로 하 여 아래에 설명되어 있습니다. 이온 소스의 공통점은 최대 150V의 전위에 연결될 수 있다는 것입니다. 이렇게 되면 EID 이온(EID = 전자 충격 탈착, ESD = 전자 자극 탈착으로도 알 려짐)으로 인해 신호 배경을 피할 수 있습니다. 이 기술은 나 중에 상세하게 설명됩니다.
축 방향 이온 소스
이 이온 소스는 매우 튼튼한 기계적 설계와 높은 감도가 특징 입니다. 이 이온 소스는 개방형 구조로 인해 기본적으로 고진 공 시스템에서의 잔류 기체 분석을 위해 사용됩니다. 그림 6.6은 축 방향 이온 소스의 구성도를 보여줍니다. 음극(1)은 Wehnelt 전극(2)의 구멍 속에 배열되어 있고, 한 쪽은 이 전 극에 연결되어 있습니다. 양극(3)으로 가속화된 전자는 형성 영역(4)에서 기체 분자를 이온화합니다. 양이온은 추출 구멍 (5)을 통하여 매스 필터에 도달합니다. 상대적으로 개방된 구 조 덕분에 탈착과 표면 반응을 통하여 오직 소량의 위조만 발 생합니다.그리드 이온 소스
그리드 이온 소스는 UHV 또는 심지어 XHV 어플리케이션에 서 잔류 기체 검사에 사용됩니다. 극단적인 개방 구조와 재료 선택은 무척 낮은 내부 기체 방출을 보장합니다. 이 이온 소 스엔 기체 제거를 위하여 동시에 가열될 수 있는 두 개의 텅 스텐 필라멘트가 장착되어 있습니다. 10-11 hPa 이하의 압력 에서 작업이 수행될 경우엔 특히 이 목적을 위하여 높은 수준 으로 기체 제거된 봉 시스템이 사용되어야 합니다. 10-10 hPa 이하의 압력 범위에서의 측정은 소위 EID(전자 충격 탈착) 이 온에 의해 위조될 수 있습니다 [32]. 이 (H+, O+, F+, Cl+) 이온 들은 표면에 종종 가해지는 고성능 전자 충격에 의하여 직접 탈착됩니다. EID 이온은 UHV 장비 또는 이온 소스의 초기에 발생하는 흡착된 코팅으로부터 발생하고, 보통 초기 에너지 가 몇 eV 정도입니다. 이런 속성은 약 100eV의 에너지를 가 진 기체상에서 생겨나는 이온과 비교하여 EID 이온을 억제 하기 위하여 필드 축 전압을 신중히 선택함으로서 사용됩니 다(그림 6.10).-
그림 6.9: 그리드 이온 소스
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그림 6.10: EID 이온의 판별
크로스 빔 이온 소스
크로스 빔 이온 소스(그림 6.11)는 분자 빔이 시스템 축에 수직으로 그리고 평행으로 직접 통과하는 것을 허용합니다. 이 시스템은 사전 선택 가능한 에너지(0 – 120eV)를 왼쪽 또 는 오른쪽 필라멘트(1)에서 형성 영역(3)으로 방출합니다. 필 라멘트 전위에 있는 Wehnelt 실린더(4)는 전자가 환경으로 산란하는 것을 방지합니다. 전자 에너지가 폭 넓은 한계 내에 서 설정될 수 있기 때문에 이 이온 소스는 출현 전위를 결정 하는 데에 사용될 수 있습니다. 크로스 빔 이온 소스는 이온 이 매스 필터로 들어가는 조건을 매우 정밀하게 유지합니다. 크로스 빔 이온 소스는 번들 분자 빔의 진단에 사용됩니다. 이 공정에서 분자 빔이 주입 판 축에 수직인 형성 영역으로 주입됩니다(그림 6.11). 비이온화 중성 기체 분자는 이온 소스(7)를 통과한 후 펌프 또는 응축용 콜드 트랩으로 보내집 니다. 이런 유형의 이온 소스가 있는 질량 분석기는 분자 빔 에피택시용 „계수율계“로 사용되기도 합니다.-
그림 6.11: 크로스 빔 이온 소스
기체 기밀 이온 소스
위에서 설명한 이온 소스 중 일부는 기체 기밀 버전에서도 사 용 가능합니다. 기체 기밀 이온 소스는 오직 소량의 기체 표 본만 사용 가능할 경우 또는 잔류 기체에 의해 생성된 신호 배경이 효과적으로 억제되어야 할 경우에 사용됩니다. 이 구 성에서 기체 유입 시스템(예: 가열식 모세관)와 이온 소스는 서로 잘 맞아야 합니다. 유입 기체 부피는 형성 영역의 압력 을 결정하며, 이 압력은 이온 소스의 전도성에 의하여 둘러싸 고 있는 진공실에서 배가 될 수 있습니다. 작동 원리는 이제 예시에 의하여 축 방향 이온 소스를 사용하여 제시됩니다.분석되어야 할 기체는 대지 전위에 있는 금속 모세관(6)과 절 연 튜브(5)를 경유하여 형성 영역(4)으로 직접 도입됩니다. 절연은 와셔(7)에 의해 제공됩니다. 진공실에 대한 전도성은 약 1 l/s입니다.
스퍼터 공정 모니터(SPM) 이온 소스
이 이온 소스에서 형성 영역(7)은 공정 챔버와 직접 연결되어 있습니다. 분석기엔 음극 공간(5)을 약 10-5 hPa로 비우는 소 형 터보 펌핑 스테이션(1)이 장착되어 있습니다. 전자는 기체 를 이온화하기 위하여 작은 구멍들을 통하여 낮은 압력 측면 에서 형성 영역(7)으로 주입됩니다. 따라서 형성된 이온은 낮 은 압력 측면에 난 작은 구멍을 통하여 매스 필터로 추출됩니 다. 이 이온 소스는 스퍼터링 공정에서 기체의 구성을 검사하 는 데에 두 가지 중요한 이점을 제공합니다. 한 편으로는 최 대 세 단계 더 높은 이온 소스 압력에서 분석이 수행됩니다. 다시 말해 더 높은 공정 압력이 진공실에서 허용될 수 있습니 다. 또 한편으로는 고온 필라멘트가 스퍼터링 공정과 직접 접 촉하지 않습니다. 이것은 민감한 공정 동안 열음극에 의한 오 염을 방지합니다.-
그림 6.13: SPM 이온 소스
표준 PrismaPlus 이온 소스
파이퍼 베큠의 PrismaPlus 질량 분석기엔 이 튼튼하고 매우 민감한 이온 소스가 장착되어 있습니다. 이것은 특히 잔류 기 체 분석에 적합한 이온 소스입니다. 설계는 두 개의 음극이 있어서 신뢰할 수 있는 작동을 보이는 그리드 소스의 설계와 비교 가능합니다. 축 방향 기체 유입구가 있는 기체 기밀 버 전 뿐만 개방형 버전 모두 사용 가능합니다.-
그림 6.14: PrismaPlus 이온 소스
- 개방형 이온 소스는 분석될 기체가 고진공에서 < 1 · 10-4 hPa일 경우에 사용됩니다
- 폐쇄형 이온 소스는 분석적 어플리케이션에서, 예를 들면 표본 기체의 소량의 부피만 사용 가능할 경우에 또는 질량 분석기 진공 시스템의 배경 효과를 줄이기 위하여 사용됩 니다.
폐쇄형 이온 소스는 더 높은 압력 기체를 분석하기 위하여 다 르게 펌프된 시스템과 조합하여 사용됩니다(그림 6.13).
6.3.3 감지기
질량 대 전하 비 를 기초로 하여 봉 시스템에서 분리된 이온 은 다양한 유형의 감지기를 사용하여 다음과 같이 전기적으 로 감지될 수 있습니다.- 전기계 증폭기를 사용하여 이온 전류의 직접 측정을 위한 Faraday 컵에 의하여
- 독립 다이노드가 있는 개별 설계의 2차 전자 증배기(SEM) 를 사용하여
- 연속 2차 전자 증배기(C-SEM)에 의하여
Faraday 컵
가장 단순한 경우, 이온은 Faraday 수집기(Faraday 컵)에 부 딪치며, 전기 전하를 잃습니다.-
그림 6.15: Faraday 컵의 작동 원리
pmin = 10-10 hPa 순서의 최소 분압이 감지 될 수 있습니다. 전체 압력이 10-8 hPa 이하인 UHV 시스템에 서는 이런 일이 보통입니다.
자체의 단순하고 튼튼한 설계 이외에도 Faraday 감지기는 장기 안정성과 고온을 견디는 능력이 특징입니다. 시간 상수 를 작게 유지하고 다른 간섭 효과를 피하기 위하여 전기계 증 폭기가 분석기에 직접 연결되고 자체 출력 신호가 데이터 분 석 시스템에 직접 공급됩니다. 이것이 Faraday 컵이 파이퍼 베큠 진공 질량 분석기에 존재하는 이유이기도 합니다. 그러 나 이것은 양이온 탐지에만 적합합니다.
극단적으로 작은 이온 전류가 측정될 경우 또는 극단적으로 높은 측정 속도가 요구될 경우, 물리적 전치 증폭기가 소위 이차 전자 증배기가 사용됩니다.
2차 전자 증배기(SEM)
그림 6.16은 이 증배기(SEM = 2차 전자 증배기)의 일반적 인 구조를 보여줍니다. 실린더형 모양의 판금 조각들(다이노 드)은 낮은 수준의 전자 작업 기능이 가능한 층으로 코팅되어 있습니다. 이온 또는 전자는 자체 운동 에너지에 따라 이 층 에 부딪칠 때 다수의 2차 전지를 생성합니다. 다중 단계의 직 렬 연결은 단일 이온으로부터 무수한 전자를 생산하게 합니 다. 약 100V의 양전압은 전자를 가속하기 위하여 다이노드 사이에 적용됩니다. 이런 배열의 기술적 실행은 개별 다이노 드가 이 전압의 탭에 연결된 상태에서 저항 체인에 의하여 고 전압(약 1,000 – 3,000V)을 공급함으로써 이루어집니다. 높 은 양전압 막대는 빠져나가는 전자들을 대략적인 대지 전위 에서 유지하기 위하여 접지됩니다. 이런 유형의 배열은 10 7 의 전류 증폭 인자를 생산합니다.-
그림 6.16: 2차 전자 증배기(SEM)
- 계기의 감도를 극도로 증가시켜 최대
K = 10 A/hPa 의 감 도 증가를 허용합니다. - 이것은 다운스트림 전기계 증폭기를 사용하여 더 짧은 간 격으로 더 낮은 분압이 스캔될 수 있음을 의미합니다
- 신호 대 잡음 비는 전기계 증폭기의 비보다 훨씬 더 높은 데, 이는 감지 한계가 몇 단계 더 낮을 수 있음을 의미합니 다. 이것은 더 낮은 암전류(잡음 수준)가 높은 증폭에서 도 달될 수 있을 경우에만 적용됩니다. 자체의 감도 증가는 작은 값입니다.
그러나 SEM에도 다음과 같은 단점이 있습니다.
- 자체 증폭은 활성 층에서의 오염 또는 화학적 변화로 인해 바뀔 수 있습니다.
- 충돌을 일으키는 전자(전환 인자)의 수(약 1~5개의 전자) 는 이온 에너지(질량 판별)에 따라 다릅니다.
이런 효과의 결과로 증폭이 변화합니다. 결과적으로 SEM은 때때로 보정되어야 합니다. 증폭의 변화는 고전압을 수정함 으로써 쉽게 조정될 수 있습니다. 전환 인자는 첫 번째 다이 노드에 다양한 이온들의 에너지를 동일하게 만드는 개별 고 전압을 공급함으로써 일정하게 유지될 수 있습니다.
2차 전자 증배기를 사용하면 매우 빠른 측정이 가능합니다. 표 6.2에서 볼 수 있듯이 측정 속도는 Faraday 컵을 사용할 때보다 훨씬 더 높습니다.
전류 증폭기로 작동하는 것 이외에도 개별 다이노드 SEM 역 시 이온 계수기로 적합합니다. 이런 설정에서는 10개 당 1 이 온이라는 매우 낮은 계수율에 도달할 수 있습니다. 높은 계수 율도 가능하며, 전류 증폭기로써의 작동과 비교하면 매우 폭 넓은 동적 범위를 만들어냅니다.
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PrismaPlusSEM 217이 있는 HiQuadSEM 218이 있는 HiQuad감지기Faraday / C-SEMFaraday / SEMFaraday / 전환 다이노드가 있는 SEMFaraday 컵의 최대 압력10-3 hPa10-4 hPa10-4 hPaSEM, C-SEM의 최대 압력10-5 hPa10-5 hPa10-5 hPa최대 측정 속도 / u2 ms125 µs125 µs베이크 아웃 온도(최대)300 °C400 °C400 °C계수 작업아니오예(옵션)예(옵션)양이온의 탐지예예예음이온의 탐지아니오예아니오
표 6.2: 감지기와 속성
모든 2차 전자 증배기가 공통적으로 갖고 있는 것은 10-5 hPa 이하의 압력에서 작동되도록 제한되어 있다는 것입니 다. 이보다 더 높은 압력에서는 다이노드의 물 층이 작동 시 열분해로 이어질 수 있고 따라서 때 이른 에이징을 촉진할 수 있습니다. 고전압이 관련됨으로써 SEM을 파괴할 수 있는 기 체 방전이 p > 10-5 hPa의 높은 압력에서 일어날 수 있습니 다.
연속 2차 전자 증배기(C-SEM)
C-SEM(그림 6.17)은 내부가 높은 저항 및 낮은 작동 기능 을 가진 전도 층으로 코팅된 유리 튜브로 구성되어 있습니다. 튜브의 길이를 통과하여 균일한 전압 경도를 얻기 위하여 층 에 고전압이 적용됩니다. 4중극자 시스템에서 발생한 이온은 전환 다이노드로 이동하여 튜브에서 전자 더미를 촉발하는 2 차 전자를 생성합니다. 2,500V의 증폭 전압에서 106 의 전류 증폭 인자에 도달합니다.-
그림 6.17: 연속 2차 전자 증배기(C-SEM)의 작동 원리
6.3.4 진공 시스템
이온은 중성 기체 입자와의 충돌 없이 4중극자 필터를 통과 할 수 있어야 합니다. 4중극자 질량 분석기의 작동을 위해서 는 p < 10-4 hPa의 압력에 도달하는 평균 경로 길이가 요구됩 니다. 이것은 압력 모니터가 있는 적절한 펌핑 스테이션을 필 요로 합니다. 최적의 감도를 가진 기체 분석을 수행하기 위해 서는 낮은 기본 압력이 필요할 뿐만 아니라 잔류 기체에 장비 의 벽에서 탈착되어 나오는 피할 수 없는 분압이 포함되어야 합니다. 이 유형의 잔류 기체 스펙트럼과 낮은 기본 압력은 터보 드래그 펌핑 스테이션으로 더 잘 도달됩니다(Figure 4.27). 추가적인 전체 압력 측정기는 질량 분석기가 과도하게 높은 압력에서 가압되지 않도록 보호합니다. 이런 시스템을 설정할 때는 부적합한 흐름 조건에서 시작되는 위조를 피하 기 위하여 기체 유입구, 밸브, 펌프, 측정 계기의 적절한 배열 에 주의를 기울여야 합니다. 높은 압력에서 작동하는 진공 공 정의 과정 동안에는 측정 시스템을 환기시키는 개별 펌핑 스 테이션이 종종 요구됩니다. 터보 드래그 펌프와 격막 펌프가 있는 소형 펌핑 스테이션이 이런 목적으로 사용됩니다.6.3.5 유입 시스템
분석될 기체는 종종 대기압에서부터 질량 분석기(MS)의 작 동 압력보다 더 낮은 압력으로 감소되어야 합니다. 질량 분석 기로 모니터링되는 많은 진공 기술 공정은p > 10-4 hPa 의 압력 범위에서 일어납니다. 4중극자 질량 분석기의 필수 요 소는 따라서 특수 어플리케이션에 적합한 기체 유입 시스템 입니다. 해당 압력 경도에 따라 다양한 압력 감소 절차가 사 용됩니다.
기체 혼합물은 가능할 경우 디믹싱 없이 질량 분석기에 유입 되어야 합니다
- p > 10 hPa의 압력에서는 다운스트림 기체 유입 밸브를 사용하여 층류 흐름이 우세한 (가열 가능) 모세관에 의하 여 압력이 감소합니다. 어떤 환경에서는 추가 펌프에 의한 압력 감소가 필수적입니다.
- p < 10 hPa 의 압력에서는 터보분자 펌프를 사용하여 다르 게 펌프된 구멍 및 질량 분석기로 압력이 감소합니다.
- p < 10-4 hPa 의 압력에서는 질량 분석기가 개방형 이온 소 스를 가진 공정 챔프에 직접 설치될 수 있습니다.
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유입 시스템압력 범위제품 예시특성압력 감소 없음10 -12 to 10 - 4 hPaPrismaPlus QMG 220, HiQuad QMG 700시스템에서 들어온 기체는 모두 이온화 부피로 표시되게 하는 개방형 구조 이온 소스SPM 이온 소스10 - 9 to 10 hPaPrismaPlus SPM 220, HiQuad SPM 700스퍼터 공정을 분석하기 위한 특수 이온 소스. 이 시스템은 압력 감소 없이 10-2 hPa의 스퍼터 압 력에서 직접 기체를 분석합니다.모세관 유입구100 to 1,100 hPa, 모세관 길이와 다운스트림 구 멍에 따라 달라짐OmniStar, ThermoStar, 유입 시스템 GES 020 및 GES 010차동 펌프 유입 시스템, 낮은 질량 판별, 변화하 는 표본 압력에 부적합구멍 유입0.01 to 10 hPa,구멍 직경과 관련PrismaPlus HPA 220직경 0.01~0.5mm의 구멍, 단순하고 튼튼한 설 계, 질량 판별, 다양한 구멍 직경을 가질 수 있는 변화하는 유입구 압력, 빠르게 변화하는 기체 구 성 성분에 부적합도징 밸브0.1 to 1,000 hPaPrismaPlus HPA 220, 기체 도징 밸브 UDV 040, UDV 146도징 밸브는 매우 폭 넓은 측정 범위에 대한 기체 유입에 적합하고, 차동 펌프 밸브 역시 빠르게 변 화하는 기체 구성 성분의 분석을 허용합니다.압력 조절 가능 기체 유입구10 - 3 to 1,000 hPaRVC 300이 있는 EVR 016 압력 조절 유입구가 있는 OmniStar차동 펌프 유입 시스템, 조절 밸브가 있는 제어 루프와 압력 측정으로 구성, 비교적 큰 불감 부 피, 느린 반응
표 6.3: 다양한 기체 유입 시스템과 그 속성
6.3.6 어플리케이션 주의사항
질량 분석기 분석은 진공 어플리케이션 만큼 다양합니다. 위 에서 설명한 가열된 모세관이 있는 기체 유입 시스템은 최대 대기압의 압력 범위에서의 기체 분석을 위하여 사용됩니다. 기체 흐름은 진공 환경의 배경 잡음을 줄이기 위하여 기체 기 밀 이온 소스에 직접 운반됩니다. 기체 빔은 크로스 빔 이온 소스를 통과하여 지나가고, 빔은 진공 펌프 또는 트랩으로 빠 져 나갑니다.-
그림 6.18: 기체 유입 시스템과 크로스 빔 이온 소스가 있는 QMS
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그림 6.19: 다양한 기체 유입구가 있는 차동 펌프 QMS
매우 낮은 압력에서는, 특히 UHV 범위에서는, 표면 영역이 특히 작아서 탈기체율이 낮은(그리드 이온 소스) 개방형 이 온 소스가 사용됩니다. 기체 농도가 낮기 때문에 4중극자 축 에 수직으로 배열된 2차 전자 증배기(SEM)가 감지기로 사용 되어야 합니다. 신호 대 잡음 비를 개선하기 위하여 유입되는 중성 입자를 펌프 다운하는 터보 펌프가 SEM 맞은 편에 부 착됩니다.
2차 이온 질량 분광 분석(SIMS)은 특별한 경우를 보여줍니 다. 이 공정에서 이온은 교대로 양전하 또는 음전하 2차 이온 을 방출하는 표면에 투사됩니다. 이 이온들은 이온 소스 없는 QMS에 의하여 직접 감지됩니다. 앞 섹션에서 설명된 측정 배열은 이 경우에도 사용됩니다.